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MOSFET的寄生電容-VGS的溫度特性圖解
  • 發(fā)布時(shí)間:2020-04-23 17:14:38
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MOSFET的寄生電容-VGS的溫度特性圖解
同普通三極管相比,MOSFET堪稱晶體管之王,在模擬電路和數(shù)字電路中均有廣泛用途。為了發(fā)揮MOSFET性能優(yōu)勢(shì),用戶除了詳細(xì)閱讀產(chǎn)品規(guī)格書外,有必要先了解MOSFET的寄生電容,開關(guān)性能,VGS(th)(界限値),ID-VGS特性及其各自的溫度特性。
MOSFET的寄生電容和溫度特性
在構(gòu)造上,功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣,在DS(漏極、源極)間形成PN接合,成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。其中,Cgs、Cgd的容量根據(jù)氧化膜的靜電容量決定,Cds根據(jù)內(nèi)置二極管的接合容量決定。
MOSFET的寄生電容
MOSFET的寄生電容模型
一般而言,寄生電容與漏極、源極間電壓VDS存在一定關(guān)系,VDS增加,則寄生容量值減小。在廠家發(fā)布的MOSFET規(guī)格書上,一般都提供Ciss/Coss/Crss三類容量特性:
Ciss表示輸入容量,即Cgs+Cgd
Coss表示輸出容量,即Cds+Cgd
Crss表示反饋容量,即Cgd
MOSFET的寄生電容
寄生電容大小與VDS的關(guān)系
測(cè)量數(shù)據(jù)表明,雖然寄生電容的大小與VDS密切相關(guān),但是與溫度的變化幾乎沒有任何影響,對(duì)溫度不敏感。
MOSFET的開關(guān)特性
當(dāng)柵極電壓ON/OFF之后,MOSFET才能ON/OFF,這個(gè)延遲時(shí)間為開關(guān)時(shí)間。一般而言,規(guī)格書上記載td(on)/tr/td(off)/tf,這些數(shù)值是典型值,具體描述為:
td(on):開啟延遲時(shí)間(VGS 10%→VDS 90%)
tr:上升時(shí)間(VDS 90%→VDS 10%)
td(off):關(guān)閉延遲時(shí)間(VGS 90%→VDS 10%)
tf:下降時(shí)間(VDS 10%→VDS 90%)
ton:開啟時(shí)間(td(on) + tr)
toff:關(guān)閉時(shí)間(td(off) + tf)
測(cè)量數(shù)據(jù)表明,溫度變化對(duì)MOSFET的開關(guān)時(shí)間沒有影響。溫度上升時(shí),OSFET的開關(guān)時(shí)間略微增加,當(dāng)溫度上升到100°C時(shí)開關(guān)時(shí)間僅僅增加10%,幾乎沒有溫度依存性。
MOSFET的寄生電容
MOSFET的寄生電容與溫度的關(guān)系
MOSFET的VGS(th)(界限値)
按照定義,為VGS(th)(界限值)是MOSFET開啟時(shí),GS(柵極、源極)間需要的電壓。這表示,當(dāng)輸入界限值以上的電壓時(shí),MOSFET為開啟狀態(tài)。為了通過絕大部分電流,需要比較大的柵極電壓。
那么,MOSFET在開啟狀態(tài)時(shí)能通過多少電流?針對(duì)每個(gè)元件,在規(guī)格書的電氣特性欄里分別有記載。例如,當(dāng)輸入VDS=10V時(shí),使1mA電流通過ID所需的柵極界限值電壓ID(th)為1.0-2.5V。
MOSFET的寄生電容
MOSFET的ID-VGS特性,以及界限值溫度特性
ID-VGS特性和界限值都會(huì)隨溫度變化而變化。使用時(shí)請(qǐng)輸入使其充分開啟的柵極電壓。其中,界限值隨溫度升高而下降,通過觀察界限值電壓變化,能夠計(jì)算元件的通道溫度。
需要注意的是,對(duì)于一定的VGS電壓,漏極電流ID會(huì)隨溫度的上升而增加,但是達(dá)到10A以后,ID將與溫度無關(guān)。新人小芯認(rèn)為,當(dāng)漏極電流達(dá)到一定限度后,MOSFET已經(jīng)成為一個(gè)發(fā)熱體,基體發(fā)熱已經(jīng)成為溫升的主要來源,而外部環(huán)境溫度的影響科技忽略。
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