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  • 硬件設計電路分析|MOS管,三極管常用電路解析
    • 發布時間:2020-11-24 17:51:08
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    硬件設計電路分析|MOS管,三極管常用電路解析
    一些常用的硬件設計電路分析
    MOS管,三極管常用電路-概述
    芯片的集成度雖然越來越高,但是整個電路功能的實現,還是離不開分離器件的搭配,本文針對實際工作中的關于MOS管或者三極管的應用做一些整理。
    本文所介紹的功能,使用三極管也是可以的,但是實際應用中,MOS管,三極管常用電路多使用MOS管,故本文多以MOS管進行說明。
    MOS管,三極管常用電路-應用
    NMOS開關控制
    MOS管,三極管常用電路
    如圖,通過NMOS的開關作用,完成對LED的亮滅控制。此時MOS管工作于截止區和可變電阻區。
    MOS管,三極管常用電路
    總結:對于NMOS,當Vgs = Vg - Vs > 0 時,NMOS 導通;當 Vgs = Vg - Vs < 0 時,NMOS斷開。
    PMOS 電源控制
    IO 控制
    MOS管,三極管常用電路
    PMOS在整個電路系統中,其中某一部分的電路上電通過控制中可以方便用于通斷控制。上圖的電路中,使用時需要注意的一點是VCC_IN 與控制端的電平PWR_CON 要處于同一標準(eg:VCC_IN= 3.3V;PWR_CON 高電平 = 3.3V)。
    MOS管,三極管常用電路
    總結:對于PMOS ,當Vgs = Vg - Vs < 0 時,PMOS導通;當 Vgs = Vg - Vs > 0 時,PMOS斷開。因為MOS管的導通壓降是非常小的,所以在Rds之上的能量損耗是比較少的。
    NMOS控制PMOS
    進一步地,上圖的電路可以擴展為下圖,PMOS的柵極通過NMOS來控制。
    MOS管,三極管常用電路
    拓展為此電路,針對VCC_IN 與PWR_CON 電壓就沒有強制的要求了。當PWR_CON為高電平的時候,NMOS導通PMOS的柵極被拉低到低電平,PMOS導通VCC_OUT有電壓輸出;反之,當PWR_CON為低電平時,NMOS關斷,從而使PMOS也斷開,這樣就完成了VCC_IN輸出電壓到VCC_OUT的控制。
    按鍵上電控制
    MOS管,三極管常用電路
    上圖的電路,就可以完成所謂的按鍵開機的功能。
    (1)按下 K1 按鍵,PMOS的柵極被拉低,Vgs < 0,PMOS導通,VCC_OUT有電壓輸出;
    (2)VCC_OUT有電壓輸出,按鍵按下時可完成對MCU的供電,然后軟件端通過MCU的GPIO進而控制
    NMOS的柵極,即PWR_CON 。先通過KEY_DET檢測到按鍵動作,然后把PWR_CON設置為高電平,NMOS導通,使得PMOS也導通,這時候抬起按鍵,VCC_OUT一端也有電壓穩定輸出,就實現了按鍵上電開機的功能。此電路的二極管,功能是防止電壓反竄和 對MCU的GPIO的保護。
    功能流程:
    MOS管,三極管常用電路
    反相(非門邏輯)
    如果電路中需要實現邏輯非的功能,可以采用 MOS 管(三極管)加上電阻來實現,如下圖所示:
    MOS管,三極管常用電路
    MOS管,三極管常用電路
    通過一個MOS管(三極管)加上兩個電阻,就可以實現非門的邏輯。
    電池防反接功能
    在大多數的電池防反接電路中,常選擇壓降小的二極管(如:肖特基二極管)來完成,但是針對如 3.7V 鋰電池的應用場景,肖特基約為 0.2V 的壓降天然的造成了電池容量的浪費,而MOS管導通的低壓降(Vds)就有很大的優勢了。
    MOS管,三極管常用電路
    如上圖所示,PMOS 在此處的作用就是防止 VBUS 存在時,LDO Vin 端的電壓反竄到電池上。
    原理分析:
    (1)當 USB VBUS 存在時,PMOS 的柵極電壓 Vg = 5V,源極電壓 Vs = 3.7V(假設此時的電池電壓為 3.7V),Vgs = 5 - 3.7 = 1.3V(大于0),此時 PMOS 關斷,就起到了防止 Vin 端電壓反竄的作用;
    (2)當 USB VBUS 不存在時,PMOS 的柵極通過 10K 的電阻下拉到 GND,因此柵極電壓 Vg =0V,源極電壓 Vs = 3.7V(假設此時的電池電壓為 3.7V),電池通過 PMOS 自身的寄生二極管使得 Vs = 3.7V,所以 PMOS 的導通電壓 Vgs = 0 - 3.7 = -3.7V,PMOS 導通,這樣就完成了電池電壓到 Vin 端的輸入。
    上圖的 LDO 電路,只要使能端LDO_CON 給一個開啟信號,輸出端 V_3V3 就可以穩定輸出 3.3V,C3、C4 為 LDO 的輸入輸出電容,一般大于 1uF(具體參考數據手冊取值)。
    IO通信雙向切換
    在一些設備中,如果兩個通過IO連接的器件,某一時刻,一個處于休眠,一個處于掉電,這時候就會導致休眠的器件向掉電的器件灌入電流,為了完全杜絕此狀態下的電路竄入,可采取如下電路的設計(比如:I2C的SDA信號)
    MOS管,三極管常用電路
    原理分析:
    MOS管,三極管常用電路
    如上面兩個方向的表格分析,這樣通過NMOS就完成了一個IO雙向通信的控制。(只能選擇NMOS,不可選擇PMOS,原因可以自行分析一下)
    3.3V與5V的電平轉換
    (1)MOS實現:
    在實際的應用中,常會遇到通信的兩個芯片之間的電平不匹配的問題,這時候就需要通過外部的電路來完成電平匹配的工作(如:MCU 的電平為3.3V,而外設的電平為5V)。
    MOS管,三極管常用電路
    原理分析:
    MOS管,三極管常用電路
    反之,也完成了對5V設備的數據的讀取。注:此電路用三極管也可以實現同樣的功能,如下圖:
    MOS管,三極管常用電路
    (2) 兩級NPN實現:
    如下圖所示,3.3V與5V之間的電平轉換,也可以通過兩級的NPN三極管來實現。
    MOS管,三極管常用電路
    原理分析:
    MOS管,三極管常用電路
    以上為一些常用的MOS管的實際應用電路,部分已在實際中進行了驗證。
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