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  • 三極管開關(guān)電路設(shè)計圖解
    • 發(fā)布時間:2021-02-20 16:39:17
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    三極管開關(guān)電路設(shè)計圖解
    晶體管開關(guān)電路(工作在飽和態(tài))在現(xiàn)代電路設(shè)計應(yīng)用中屢見不鮮,經(jīng)典的74LS,74ALS等集成電路內(nèi)部都使用了晶體管開關(guān)電路,只是驅(qū)動能力一般而已。
    晶體管開關(guān)電路主要分為兩大類,一類是經(jīng)典的TTL晶體管開關(guān)電路,另外一類就是MOS管開關(guān)電路。晶體管開關(guān)電路(上)主要先探討TTL晶體管開關(guān)電路。
    TTL晶體管開關(guān)電路
    TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動能力分為小信號開關(guān)電路和功率開關(guān)電路;按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地(PNP晶體管發(fā)射極接電源)和射級跟隨開關(guān)電路。
    1. 發(fā)射極接地開關(guān)電路
    三極管開關(guān)電路
    NPN型和PNP型基本開關(guān)原理圖
    上面的基本電路離實際設(shè)計電路還有些距離:由于晶體管基極電荷存儲積累效應(yīng)使晶體管從導(dǎo)通到斷開有一個過渡過程(當(dāng)晶體管斷開時,由于R1的存在,減慢了 基極電荷的釋放,所以Ic不會馬上變?yōu)榱悖?。也就是說發(fā)射極接地型開關(guān)電路存在關(guān)斷時間,不能直接應(yīng)用于中高頻開關(guān)。
    三極管開關(guān)電路
    實用的NPN型和PNP型開關(guān)原理圖1(添加加速電容)
    解釋:當(dāng)晶體管突然導(dǎo)通(IN信號突然發(fā)生跳變),C1瞬間短路,為三極管快速提供基極電流,這樣加速了晶體管的導(dǎo)通。當(dāng)晶體管突然關(guān)斷(IN信號突然發(fā)生跳變),C1也瞬間導(dǎo)通,為卸放基極電荷提供一條低阻通道,這樣加速了晶體管的關(guān)斷。C通常取值幾十到幾百皮法。電路中R2是為了保證沒有IN輸 入高電平時三極管保持關(guān)斷狀態(tài);R4是為了保證沒有IN輸入低電平時三極管保持關(guān)斷狀態(tài)。R1和R3是基極電流限流用。
    三極管開關(guān)電路
    實用的NPN型開關(guān)原理圖2(消特基二極管鉗位)
    解釋:由于消特基二極管Vf為0.2至0.4V比Vbe小,所以當(dāng)晶體管導(dǎo)通后大部分的基極電流是從二極管然后通過三極管到地的,這樣流到三極管基極的電流就很小,積累起來的電荷也少,當(dāng)晶體管關(guān)斷(IN信號突然發(fā)生跳變)時需要卸放的電荷少,關(guān)斷自然就快。
    實際電路設(shè)計
    在實際電路設(shè)計中需要考慮三極管Vceo,Vcbo等滿足耐壓,三極管滿足集電極功耗;通過負(fù)載電流和hfe(取三極管最小hfe來計算)計算基極電阻(要為基極電流留0.5至1倍的余量)。注意消特基二極管反向耐壓。
    三極管開關(guān)電路
    發(fā)射極跟隨開關(guān)電路
    解釋:發(fā)射極跟隨的優(yōu)點(diǎn)就是開關(guān)速度快,可應(yīng)用于中高頻信號的開關(guān);R2不能太,大了電路容易受干擾;當(dāng)然也不能太小,否則白白浪費(fèi)前級的驅(qū)動能力?;鶚O不需要限流電阻了,因為負(fù)載電流除以hfe就是基極電流,三極管會自動向上級所取這么大的電流。
    功率開關(guān)電路
    上面說到的開關(guān)電路適用于小功率開關(guān),當(dāng)負(fù)載電流較大時,有兩個辦法解決:一是選擇高h(yuǎn)fe管,這樣就利于前級提供基極電流;另外一個辦法就是使用達(dá)林頓連接方式把兩個三極管串起來,這樣hfe=hfe1*hfe2,也利于前級提供基極電流。
    使用達(dá)林頓連接方式時請注意:基極和發(fā)射極電位差1.2至1.4伏;計算后管集電極功耗時使用的管壓降不再是它的Vce(sat)而是它的Vbe,也就是0.6至0.7伏。
    晶體管開關(guān)電路牽涉內(nèi)容豐富,這里不可能一一討論,例如三極管彌勒效應(yīng)引起開關(guān)動作的暫態(tài)等。從實踐中多積累多總結(jié)。
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