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  • MOSFET內部結構優(yōu)化的驅動電路詳解
    • 發(fā)布時間:2022-04-11 19:12:02
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    MOSFET內部結構優(yōu)化的驅動電路詳解
    通常在實際的設計過程中,電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數(shù)調整并不是十分關注,尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計,導致在實際的應用中,MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題,從而優(yōu)化MOSFET的驅動性能,提高整個系統(tǒng)的可靠性。
    功率MOSFET的柵極模型
    通常從外部來看,MOSFET是一個獨立的器件,事實上,在其內部,由許多個單元(小的MOSFET)并聯(lián)組成,圖1(a)為AOT460內部顯微結構圖,其內部的柵極等效模型如圖1(b)所示。MOSFET的結構確定了其柵極電路為RC網(wǎng)絡。
    MOSFET 驅動電路
    圖1:AOT460顯微結構圖及柵極等效模型
    在MOSFET關斷過程中,MOSFET的柵極電壓VGS下降,從其等效模型可以得出,在晶元邊緣的單元首先達到柵極關斷電壓VTH而先關斷,中間的單元由于RC網(wǎng)絡的延遲作用而滯后達到柵極關斷電壓VTH而后關斷。
    MOSFET 驅動電路
    圖2:MOSFET關斷時的電流分布
    如果MOSFET所加的負載為感性負載,由于電感電流不能突變,導致流過MOSFET的電流向晶元的中間流動,如圖2所示。這樣就會造成MOSFET局部單元過熱而導致MOSFET局部單元損壞。
    如果加快MOSFET的關斷速度,以盡量讓MOSFET快速關斷,不讓能量產(chǎn)生集聚點,這樣就不會因局部單元過熱而損壞MOSFET。
    注意到:MOSFET的關斷過程是一個由穩(wěn)態(tài)向非穩(wěn)態(tài)過渡的過程,與此相反,MOSFET在開通時,由于負載的電流是隨著單元的逐漸開通而不斷增加的,因此是一個向穩(wěn)態(tài)過渡的過程,不會出現(xiàn)關斷時產(chǎn)生的能量集聚點。
    因此,MOSFET在關斷時應提供足夠的放電電流讓其快速關斷,這樣做不僅是為了提高開關速度而降低開關損耗,同時也是為了讓非穩(wěn)態(tài)過程盡量短,不至產(chǎn)生局部過熱點。
    功率MOSFET熱不穩(wěn)定性
    MOSFET 驅動電路
    圖3:MOSFET的轉移特性
    圖3為MOSFET處于飽和區(qū)時漏極電流ID與柵極電壓VGS的關系曲線即轉移特性,用公式可表示為:
    MOSFET 驅動電路
    其中,
    MOSFET 驅動電路
    對于特定的MOSFET,K為常數(shù)。因此,MOSFET處于飽和狀態(tài)時ID與VGS是平方的關系。
    由圖3可知,當MOSFET處于飽和區(qū)并且ID=ID0時,ID隨溫度的變化是負溫度系數(shù)。因為MOSFET是由很多的小的單元組成。
    應用實例
    圖4是電動車控制器的兩種驅動MOSFET管AOT460驅動電路,分立器件驅動時,PWM在上橋臂,直接用MC33035驅動時,PWM在下橋臂。
    MOSFET 驅動電路
    圖4:AOT460驅動電路
    圖4(a)當MOSFET管AOT460關斷時,柵極通過Q5直接放電。圖4(b)驅動電路中,當MOSFET管AOT460關斷時,柵極電流通過電阻R6和MC33035的下驅動對地放電。
    由于MOSFET管AOT460在關斷時電流迅速減小,會在PCB和電流檢測電阻的寄生電感上產(chǎn)生感應電勢,感應電勢的大小為Ldi/dt,方向如圖紅線所示。
    這樣會使MOSFET管AOT460的源極和MC33035驅動的參考電位發(fā)生相對變化,這種變化降低了MC33035相對于MOSFET管AOT460源極的驅動電壓,從而降低了驅動能力,使關斷速度變慢。
    兩種電路的關斷波形如圖5所示。在圖5(b)中,當VGS低于米勒平臺之后,電阻R6兩端的電壓,即圖5(b)中CH1和CH3的電位差變小,由于反電勢的影響,驅動線路已經(jīng)幾乎不能通過電阻R6給柵極提供放電電流,導致MOSFET的關斷變慢。(注:測試波形時探頭的地線均夾在MOSFET的源極)
    MOSFET 驅動電路
    圖5:AOT460驅動波形
    MOSFET 驅動電路
    圖6:AOT460快速和慢速開關熱成像圖
    圖6為AOT460在同一應用中快速開關和慢速開關情況下的熱成像照片。可以看出,在慢速開關情況下MOSFET的局部溫度要高于快速開關情況下的溫度,過慢的開關速度會導致MOSFET因局部溫度過高而提前失效。
    小結
    ①過慢的開關速度增加MOSFET的開關損耗,同時由于柵極RC網(wǎng)絡延遲和MOSFET本身的熱不穩(wěn)定性產(chǎn)生局部過熱,使MOSFET提前失效。
    ②過快的開通速度產(chǎn)生較大開通的浪涌電流以及開關振鈴及電壓尖峰。
    ③設計驅動線路和PCB布線時,減小主回路PCB和電流檢測電阻的寄生電感對開關波形的影響,布線時應使大電流環(huán)路盡量小并且使用較寬的走線。
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