老司机午夜精品视频你懂的,国产精品流白浆在线观看,国产一区二区三区在线观看视频,国产乱人伦精品一区二区,欧美日韩国产一级,国产欧美日韩资源在线观看,精品欧美视频,成人无码区免费视频网站蜜臀

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • VDMOS和COOLMOS的區別分析與應用
    • 發布時間:2022-06-22 16:41:10
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    VDMOS和COOLMOS的區別分析與應用
    COOLMOS(超結MOS)
    超結金氧半場效晶體管(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,SJ MOSFET)
    SJ MOSFET的技術主要有兩種,其一為由英飛凌(Infineon)開發的多磊晶技術,藉由摻雜(doping)磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區域,使該區域擴散形成一個氮摻雜(N-doped)平面。
    另一種技術則采用深反應離子蝕刻挖出溝槽狀結構,再將氮摻雜材料填補于溝槽,制造出超接面的結構,開發此科技的業者主要為東芝(Toshiba),快捷半導體(Fairchild Semiconductor) 及艾斯摩斯科技(IceMOS Technology)。
    VDMOS與VDMOS的結構差異
    為了克服傳統MOS導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,一些人在VDMOS基礎上提出了一種新型的理想器件結構,既我們所說的超結MOS,超結MOS的結構如圖2所示,其由一些列的P型和N型半導體薄層交替排列組成。
    在截止態時,由于P型和N型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使P型和N型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。
    導通時,這種高濃度的摻雜可以使其導通電阻顯著下降,大約有兩個數量級。因為這種特殊的結構,使得超結MOS的性能優于傳統的VDMOS。
    如下表中芯派電子的超結MOS與平面MOS部分參數比對可知,超結MOS器件參數優于平面MOS。
    VDMOS COOLMOS
    對于常規VDMOS器件結構, Rdson與BV這一對矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。
    Rdson直接決定著MOSFET單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和,這就是常規VDMOS的局限性。 但是對于超結MOS,這個矛盾就不那么明顯了。
    通過設置一個深入EPI的的P區,大大提高了BV,同時對Rdson上不產生影響。
    對于常規VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結,對于一個PN結,耐壓時主要靠的是耗盡區承受,耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積。
    常規VDSMO,P body濃度要大于N EPI,大家也應該清楚,PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散,所以此結構下,P body區域一側,耗盡區擴展很小,基本對承壓沒有多大貢獻,承壓主要是P body--N EPI在N型的一側區域,這個區域的電場強度是逐漸變化的,越是靠近PN結面,電場強度E越大。
    對于COOLMOS結構,由于設置了相對P body濃度低一些的P region區域,所以P區一側的耗盡區會大大擴展,并且這個區域深入EPI中,造成了PN結兩側都能承受大的電壓,換句話說,就是把峰值電場Ec由靠近器件表面,向器件內部深入的區域移動了。
    在原先傳統LDMOS的漂移區中,通過pn交替的結構來代替單一淡濃度摻雜的漂移區,LDMOS的漏端為高濃度摻雜的n+區域,它直接連接到pn交替的漂移區。
    為了克服傳統MOS導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,一些人在VDMOS基礎上提出了一種新型的理想器件結構,既我們所說的超結MOS coolmos實現的工藝有很多種,可以采用DT 填充P型-EPI或者多次注入。
    一般我們選擇一顆MOS 大致看以下幾個參數 BV Id Rds Vth Qg Pd等。
    但是這幾個參數,只有Qg和Id是交流參數,其他都是靜態參數。而半導體這東西就是隨溫升變壞的。那動態參數,其實是變壞的。
    25度的電流是100A,也許125度的時候,電流只有50A,所以選型的時候要以高溫下(老化房)的數據為準。那選好了電壓、電流,剩下就是看Coolmos的損耗了。
    Coolmos露在表面的是Rdson 較低,只有平面管的1/3或者1/4,那MOS的導通損耗必然較之平面管要低不少。
    MOS的另外一個損耗,開關損耗其實往往更加占主導。開關損耗在MOS里最直接體現的數值是Trr。這也是Coolmos最核心的參數。從coolmos的發展來看 C3 C6 CP CFD CFD2 都是在Trr上下功夫(C6除外,他是C3的Cost down)。
    Coolmos在實際應用中,MOS前段的Rg驅動,一般對電阻要求會低很多。這也能降低損耗。
    舉個例子,20N60C3 MOS前段的驅動電阻一般可做到15mohm以下,但是也不是越低越好,開關越高,EMI的問題就出來了。所以驅動電阻的選擇要綜合考慮,在EMI允許的情況下,盡量降低驅動電阻。
    〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
     
    電話:18923864027(同微信)
    QQ:709211280

    相關閱讀
    主站蜘蛛池模板: 国产一级在线播放| 在线五月婷婷| 亚洲综合亚洲国产尤物| 国产尹人香蕉综合在线电影 | 手机在线国产精品| 香蕉视频在线观看www| 久久精品66| 在线免费观看AV| 日韩精品成人在线| 亚洲欧洲国产成人综合不卡| 亚洲女同欧美在线| 97av视频在线观看| 欧美成人综合在线| 99国产精品国产高清一区二区| 久久久久久尹人网香蕉 | 国产jizzjizz视频| 久久综合五月婷婷| 亚洲精品图区| 国产亚洲一区二区三区在线| 综合色区亚洲熟妇在线| 女人av社区男人的天堂| 免费一级α片在线观看| 国产精品第页| 国产美女主播一级成人毛片| 国产又爽又黄无遮挡免费观看| 亚洲国产成人综合精品2020| 日韩区欧美国产区在线观看| 免费一级毛片完整版在线看| 中文无码精品A∨在线观看不卡 | 在线国产毛片| 天天摸天天操免费播放小视频| 亚洲日韩AV无码一区二区三区人| 国产乱子伦手机在线| 福利视频99| 欧美在线国产| 国产精品亚洲а∨天堂免下载| 国产黄色片在线看| 亚洲一区网站| 中文字幕亚洲精品2页| 精品欧美一区二区三区久久久| 青青网在线国产| 久久天天躁狠狠躁夜夜躁| 久久精品日日躁夜夜躁欧美| 国产成人三级在线观看视频| 久久一本日韩精品中文字幕屁孩| 国内丰满少妇猛烈精品播| 一级做a爰片久久免费| 好吊妞欧美视频免费| 欧美成人手机在线观看网址| 大陆精大陆国产国语精品1024 | 亚洲国产在一区二区三区| 国产男人的天堂| 免费高清自慰一区二区三区| 欧美啪啪网| 欧美精品影院| 午夜一级做a爰片久久毛片| 国产黄色片在线看| 亚洲人成网站在线观看播放不卡| 在线免费亚洲无码视频| 91成人在线免费观看| 无码网站免费观看| 国产本道久久一区二区三区| 91av成人日本不卡三区| 日本午夜精品一本在线观看| 欧美三级不卡在线观看视频| 71pao成人国产永久免费视频 | 国产成a人片在线播放| 国产日本欧美亚洲精品视| 老色鬼欧美精品| 欧美三级日韩三级| 国产丝袜一区二区三区视频免下载| 亚洲成人77777| 国产精品无码翘臀在线看纯欲| 国产乱子伦精品视频| 婷婷色婷婷| 免费xxxxx在线观看网站| 亚洲欧美成aⅴ人在线观看| 漂亮人妻被中出中文字幕久久| 亚洲乱强伦| 亚洲综合精品香蕉久久网| 免费女人18毛片a级毛片视频| 久久永久视频|