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MOSFET雪崩擊穿額定值理論解析
2022-04-22
MOSFET雪崩擊穿額定值理論解析雪崩模式定義所有半導(dǎo)體器件都具有一定的最大反向電壓額定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此閾值的操
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MOSFET數(shù)據(jù)表-開關(guān)參數(shù)介紹
2022-04-22
MOSFET數(shù)據(jù)表-開關(guān)參數(shù)介紹MOSFET數(shù)據(jù)表-開關(guān)參數(shù)圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個(gè)不同di dt速率上測得的輸出電荷和反向
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MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)漏源電阻圖文詳解
2022-04-22
MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)漏源電阻圖文詳解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。這個(gè)R DS （on）的想
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有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法介紹
2022-04-20
有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法介紹討論：是否可以用下面的公式計(jì)算電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗？（IC電路電流+流過電機(jī)的電流）×電源電壓乍一
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步進(jìn)電機(jī),雙極連接與單極連接圖文解析
2022-04-20
步進(jìn)電機(jī),雙極連接與單極連接圖文解析步進(jìn)電機(jī)雙極連接、單極連接步進(jìn)電機(jī)有雙極連接型和單極連接型兩種類型，每種都有其優(yōu)缺點(diǎn)，因此需要
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什么是柵極,源極電壓產(chǎn)生的浪涌介紹
2022-04-20
什么是柵極,源極電壓產(chǎn)生的浪涌介紹右側(cè)的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡單的同步升壓（Boost）電路。在該電路中，高邊（以下
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有刷直流電機(jī)的結(jié)構(gòu)與短路制動(dòng)詳細(xì)解析
2022-04-19
有刷直流電機(jī)的結(jié)構(gòu)與短路制動(dòng)詳細(xì)解析有刷直流電機(jī)結(jié)構(gòu)下面是經(jīng)常在模型中使用的有刷直流電機(jī)的外觀，以及普通的兩極（2個(gè)磁體）三槽（3個(gè)
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H橋電路驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)方案詳解
2022-04-19
H橋電路驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)方案詳解有刷直流電機(jī)有刷直流電機(jī)是一種直流電機(jī)，有刷電機(jī)的定子上安裝有固定的主磁極和電刷，轉(zhuǎn)子上安裝有電樞
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設(shè)計(jì)準(zhǔn)確的直流電源介紹
2022-04-19
設(shè)計(jì)準(zhǔn)確的直流電源介紹電池測試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測試等測試和測量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化為±
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有刷直流電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),H橋恒流驅(qū)動(dòng)介紹
2022-04-18
有刷直流電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),H橋恒流驅(qū)動(dòng)介紹使用PWM輸出方式驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)：H橋恒流驅(qū)動(dòng)。這是有刷直流電機(jī)PWM的H橋恒流驅(qū)動(dòng)電路示例。這是普
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超結(jié)結(jié)構(gòu)高壓功率MOSFET寄生電容形成解析
2022-04-18
超結(jié)結(jié)構(gòu)高壓功率MOSFET寄生電容形成解析超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場建立產(chǎn)生耗盡層（空間電荷區(qū)）過程中，N型漂移層兩側(cè)
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模擬電路之鉗位電路設(shè)計(jì)詳解
2022-04-18
模擬電路之鉗位電路設(shè)計(jì)詳解鉗位器（clamper）可以將輸入波形整體上移或下移，clamper在 英語中的原意是夾具的意思，很形象地說明了它可以