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開(kāi)關(guān)電源-最全面開(kāi)關(guān)電源IC內(nèi)部電路解析
2019-11-16
開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)電源IC內(nèi)部電路開(kāi)關(guān)電源概述開(kāi)關(guān)模式電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路要點(diǎn)等-MOS管寄生參數(shù)帶來(lái)的影響是什么
2019-11-16
MOS管,MOS管寄生參數(shù),驅(qū)動(dòng)電路MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。
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自舉電路-自舉電路的應(yīng)用和自舉電路怎么把電壓升高的
2019-11-16
自舉電路-自舉電路的應(yīng)用和自舉電路怎么把電壓升高的自舉電路自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電
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MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)是怎么形成的與怎么消除米勒效應(yīng)
2019-11-16
MOS管,MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)是怎么形成的與怎么消除米勒效應(yīng)米勒效應(yīng)概述米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入
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500v功放管mos參數(shù)選型與MOS管原廠(chǎng)-mos功放優(yōu)缺點(diǎn)
2019-11-16
500v功放管mos參數(shù)選型與MOS管原廠(chǎng),mos功放優(yōu)缺點(diǎn)500v功放管mos什么是功放管烜芯微科技供應(yīng)500v功放管mos，先來(lái)看看功放管的分類(lèi)：A類(lèi)功放
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mos管怎么控制電流方向-MOS管方向的判斷方法詳情
2019-11-15
mos管怎么控制電流方向-MOS管方向的判斷方法詳情mos管如何控制電流方向詳解mos管如何控制電流方向的呢，下文將會(huì)有詳細(xì)解釋。隨著科技的飛
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mos管并聯(lián)電容的工作原理和方法-mos并聯(lián)均流技術(shù)
2019-11-15
mos管并聯(lián)電容的工作原理和方法-mos并聯(lián)均流技術(shù)什么是并聯(lián)mos管并聯(lián)電容,并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類(lèi)或不同類(lèi)的元件
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光耦工作原理-光耦參數(shù)知識(shí)和特點(diǎn)
2019-11-15
光耦工作原理-光耦參數(shù)知識(shí)和特點(diǎn)光耦解釋它是以光為媒介來(lái)傳輸電信號(hào)的器件，通常把發(fā)光器（紅外線(xiàn)發(fā)光二極管LED）與受光器（光敏半導(dǎo)體管
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步進(jìn)電機(jī)mos管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和電路圖-步進(jìn)電機(jī)原理驅(qū)動(dòng)方法
2019-11-15
步進(jìn)電機(jī)mos管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和電路圖-步進(jìn)電機(jī)原理驅(qū)動(dòng)方法步進(jìn)電機(jī)我們先了解步進(jìn)電機(jī)的一些基本知識(shí)，再了解步進(jìn)電機(jī)mos管驅(qū)動(dòng)。步進(jìn)電機(jī)是一
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場(chǎng)效應(yīng)管伏安特性曲線(xiàn)計(jì)算方法和原理參數(shù)
2019-11-15
場(chǎng)效應(yīng)管伏安特性曲線(xiàn)計(jì)算方法和原理參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管伏安特性曲線(xiàn)（IV 曲線(xiàn)），即電流-電壓曲線(xiàn)。這里的電壓指的是源漏偏壓，電流指的是漏電
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MOS管做功放的優(yōu)缺點(diǎn)與作用-功率放大電路設(shè)計(jì)
2019-11-15
MOS管做功放的優(yōu)缺點(diǎn)與作用-功率放大電路設(shè)計(jì)MOS管做功放的優(yōu)缺點(diǎn)功放MOS管做功放的優(yōu)缺點(diǎn)，功率放大器簡(jiǎn)稱(chēng)功放，一般特指音響系統(tǒng)中一種最
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常見(jiàn)幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路與IGBT保護(hù)方法詳情
2019-11-15
常見(jiàn)幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路與IGBT保護(hù)方法詳情IGBT概述IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控