mos管經(jīng)常燒壞的原因與解決方法介紹
在電子電路設計與應用中，MOS管作為一種關鍵半導體器件，常因多種因素出現(xiàn)燒毀故障。深入探究這些原因并采取有效防范措施，對保障電路穩(wěn)定運行、延長MOS管使用壽命具有關鍵意義。
一、過電壓
電壓瞬間飆升至超出MOS管耐壓范圍即為過電壓。電源電壓波動、開關電路故障、電感電容反復開關引發(fā)的反向電壓等，均易造成此狀況。鑒于MOS管耐壓閾值較低，即使超壓僅持續(xù)幾納秒，也可能致其損壞。因此，設計電路時應保守選定MOS管額定電壓，預留安全裕量，并運用抑制電壓尖峰、振鈴等技術手段，如并聯(lián)阻容吸收網(wǎng)絡、采用磁環(huán)等。
二、過電流
當電路電流急劇攀升至遠超MOS管承載上限時，即發(fā)生過電流。輸出負載過重、開關電路失靈、電感電容反向電流沖擊等因素可能引發(fā)此問題。MOS管導通電阻相對較高，大電流流過會產(chǎn)生顯著熱耗散，若散熱不佳，易因過熱燒毀。為應對，可并聯(lián)多個MOS管分擔高負載電流，同時優(yōu)化散熱設計，如加裝散熱片、風扇等。
三、靜電放電與高溫
MOS管對靜電極為敏感，與其他元件或人體接觸產(chǎn)生的電荷交換，若靜電能量過大，易使其擊穿損壞。高溫環(huán)境則會降低其電性能，加速器件老化。為防范，需確保焊接質量，避免虛焊、冷焊；強化散熱設計，采用導熱硅脂、散熱片等；同時在使用、運輸、存儲環(huán)節(jié)采取防靜電措施，如佩戴防靜電手環(huán)、使用防靜電包裝。
四、開關損耗過大
開關損耗常大于導通損耗，當損耗超出MOS管耐受極限，將導致器件損壞。設計電路時要合理選型元件，優(yōu)化電路參數(shù)，降低開關頻率，避免不必要的開關操作，以控制開關損耗在合理范圍。
五、擊穿（交叉?zhèn)鲗В?/div>
兩個相對MOS管的控制信號若出現(xiàn)重疊，可能造成二者同時導通，引發(fā)擊穿。這會使電源短路，去耦電容經(jīng)兩器件快速放電，形成短時強脈沖電流沖擊器件。設計時要精確控制驅動信號時序，避免控制信號重疊，可設置死區(qū)時間，確保MOS管交替導通，杜絕同時導通風險。
六、未設續(xù)流路徑
電感負載電流切換時，若無續(xù)流通路，MOS管易受損。工程師設計電路時，應為電感負載提供續(xù)流回路，如反并聯(lián)續(xù)流二極管，為電感儲能釋放提供通路，避免瞬態(tài)高壓沖擊MOS管。
七、柵極串聯(lián)電阻問題
MOS管屬電壓控制型器件，柵極串聯(lián)電阻不可省略，其起隔離保護作用。電阻過大，會使MOS管結電容充電緩慢，延遲飽和開通時間，導致管子過熱燒毀。一般建議該電阻阻值控制在10k以內(nèi)。此外，在電機正反轉控制電路中，4個續(xù)流二極管不可省略，它們能保護控制電路，若控制管為MOS管，且其內(nèi)部無寄生二極管時，才無需外接。
八、雪崩破壞
當漏極-源極承受超出額定VDSS的電涌電壓，達到擊穿電壓V(BR)DSS且能量過大時，MOS管將發(fā)生雪崩破壞。如開關電感性負載時產(chǎn)生的回掃電壓、漏磁電感尖峰電壓等，都可能超出MOS管耐壓，造成雪崩。設計電路時要充分考慮可能產(chǎn)生的過電壓情況，選用具備雪崩能力的MOS管，或增設電壓鉗位電路，如壓敏電阻、瞬態(tài)抑制二極管等，抑制過電壓沖擊。
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