電池供電切換電路設(shè)計詳解
在電池供電系統(tǒng)中，為實現(xiàn)交流適配器與電池之間的靈活切換，常見的電路設(shè)計采用了兩個肖特基二極管來隔離兩種電源，具體電路圖如圖1所示。
該電路設(shè)計要求交流適配器的輸出電壓必須高于電池DC/DC變換的輸出電壓。當接入交流適配器時，二極管VD2處于反偏狀態(tài)，從而有效阻止電流從電池流向負載，確保負載由交流適配器供電。而當交流電源被斷開時，二極管VD1則發(fā)揮防止電流從電池流入適配器的作用，避免電池能量的無謂損耗。
從設(shè)計角度來看，這種電路具有設(shè)計簡單、占用印制電路板面積小的優(yōu)勢。然而，它也存在兩個較為明顯的缺點：一是VD2的正向電壓（大約為0.4V）會導致DC/DC的輸出電壓降低。如果輸出電壓低于設(shè)備的啟動電壓，該方案將無法滿足實際應用需求。二是VD2的正向電壓會造成電池功率的浪費，其耗散的功率等于負載電流乘以正向壓降，這在一定程度上影響了電池的使用效率。
針對上述基于肖特基二極管的電源切換電路的局限性，圖2展示了一種改進方案，即用一個P溝道MOSFET替代圖1中的二極管VD2。當切換到電池供電時，MOSFET導通，使電池能夠向負載正常供電。而當接入交流適配器時，MOSFET的柵極電壓高于其源極電壓，MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，從而切斷了電池與負載之間的連接，確保負載由交流適配器供電。
以100mA的負載電流為例，對于一個導通電阻為50mΩ的P溝道MOSFET，其電壓降僅為0.5mV，耗電僅0.5mW。相比之下，圖1所示的二極管配置方式，電壓降為400mV，功率損耗高達40mW。由此可知，MOSFET在降低電壓降和減少功率損耗方面具有顯著優(yōu)勢。不過，需要注意的是，MOSFET的導通電阻依賴于它的柵極偏置。
在圖2所示電路中，當交流電源被斷開時，MOSFET的柵極電壓為零，源極為電池電壓。為確保在最大負載電流下能夠獲得所期望的輸出電壓，MOSFET的導通電阻應在此偏壓下足夠低。因此，在實際選型中，應盡量選用低閾值的MOSFET管。
雙電源電路圖及原理
該雙電源電路由1個P-MOS、1個二極管（推薦使用肖特基二極管，因其壓降小）、1個適當阻值的下拉電阻組成。
假設(shè)USB電源電壓為5.0V，交流適配器的電壓為5.5V，略高于USB電源電壓。
當僅有交流適配器的5.5V接入時，二極管導通，電路自動切換為交流適配器供電模式，此時用電端電壓約為5.5V減去二極管的正向壓降（約0.3V），即約為5.2V。
當僅有USB-5V單獨接入時，P-MOS的DS寄生二極管首先導通，S極電壓約為5V減去二極管正向壓降（約0.7V），即約為4.3V。此時，P-MOS的G極被下拉電阻拉低至0V，因此Vgs=0V-4.3V=-4.3V。由于-4.3V低于P-MOS的GS最低導通門限電壓，P-MOS隨之導通，用電端電壓則為5V減去P-MOS的導通壓降。通常情況下，MOS的導通電阻較低，約幾十mΩ，且一般電路電流不會超過2A，因此P-MOS的導通壓降幾乎可以忽略不計，能夠高效地將5V電壓輸出至用電端。
當交流適配器的5.5V與USB-5V同時接入時，肖特基二極管D1導通，此時P-MOS的G極電壓為5.5V，S極電壓為5.2V，Vgs=5.5V-5.2V=0.3V。由于0.3V高于P-MOS的GS最低導通門限電壓，P-MOS處于關(guān)斷狀態(tài)，電路便自動切換為由輸入電壓較高的交流適配器供電，確保設(shè)備優(yōu)先使用交流電源，從而有效延長電池使用壽命并提高系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。
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